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在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个的 “台阶”，也就是 “米勒台阶” 或者 “米勒平台”，接下来将深入讲解米勒平台。
假设存在一个增益为 - Av 的理想反向电压放大器，在其输出和输入端之间连接一个阻值为 Z 的阻抗。若定义输入电流为 I_i（假设放大器输入电流为 0），输入阻抗为 Z_in，就会有相应的等式关系。由此可见，反向电压放大器增加了电路的输入电容，且放大系数为 1 + Av。这个效应早由 John Milton Miller 在 1920 年的著作中发现并发表，故而被称为米勒效应。
MOSFET 加入寄生电容后的原理图可由图表示。MOSFET 属于共源放大电路，其中 Drain（漏极）为输出端，Source（源极）接地，Gate（栅极）为输入端。MOS 管的极间电容，如栅漏电容 C_gd、栅源电容 C_gs、漏源电容 C_ds，可由以下公式确定：
C_gd = C_rss (1)
C_gs = C_iss - C_rss （2）
C_ds = C_oss - C_rss （3）
公式中 MOS 管的反馈电容 C_rss，输入电容 C_iss 和输出电容 C_oss 的数值，可在 MOS 管的手册上查到。
根据 MOSFET 的小信号模型，它形成了一个反向电压放大器，其等效电路如图所示。MOSFET 形成的电压放大器的增益需根据其输出和输入电阻来判断，不同的 MOSFET 会有不同特性，所以增益很难量化，某些情况下其放大系数可达数百倍。Cdg 形成了一条反馈回路（连接输出端口 Drain 和输入端口 Gate），于是 MOSFET 中的米勒效应便形成了。
MOS 导通过程主要关注 3 个信号：V_gs，V_ds（漏源电压），I_d（漏极电流）。从 0 时刻开始，V_gs 开始上升时，V_ds 和 I_d 保持不变，此过程中驱动电流 I_g 为 C_gs 充电，V_gs 上升，直到 t1 时刻，V_gs 上升到 V_g (th)（门极开启电压），在 t1 时刻以前，MOS 处于截止区。
从 t1 时刻开始，MOS 开始导通，标志是 I_d 开始上升，此时驱动电流仍为 C_gs 充电。在 t1 到 t2 时间段内，I_d 逐渐上升，到 t2 时刻，I_d 上升到电感电流，在此过程中 V_ds 会稍有下降，这是因为 dI/dt 在杂散电感上形成了一些压降。从 t1 时刻开始，MOS 进入了饱和区。
当 I_d 上升到（t2 时刻），即刻进入米勒平台时期。米勒平台是 V_gs 在一段时间内几乎维持不动的平台。在饱和区有转移特性：I_d = V_gs × G_m（其中 G_m 是跨导），可见只要 I_d 不变，V_gs 就不变。I_d 上升到值后等于电感电流 I_L，此时处于饱和区，所以 V_gs 会维持不变，即维持米勒平台的电压。
I_d 为沟道电流，当驱动电流为 C_gs 充一点电，V_gs 增加 ΔV_gs，I_d 增加 ΔI_d，V_ds 下降，V_gd 下降，ΔI_gd = C_gd * ΔV_gd / Δt，I_gd 增加，所以 V_gs 几乎不能增加，只能动态维持在米勒平台附近，这是一个负反馈过程，因此 C_gd 也叫反馈电容。
在 t3 时间之前，由于 C_gs 远大于 C_gd，V_gs 的上升斜率主要由 C_gs 决定。当 t3 开始时，V_gd 的变化使 C_gd 在此时间段内的等效电容值增加，给电容充电时，电容另一端的电压却在急速变化，随着 MOS 管导通、漏极电压骤降，栅漏米勒电容 C_gd 显著增大，使 V_gs 对应的等效充电电容突然变化，导致其上升斜率受阻，形成台阶。
在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用 MOS 管控制冲击电流以达到电流缓启动的目的。MOS 管具有导通阻抗 R_ds (on) 低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可构成缓慢启动电路。不过，只有透彻理解 MOS 管的相关开关特性，才能深入掌握这个电路。电子工程师通常基于栅极电荷理解 MOSFET 的导通过程，此图在 MOSFET 数据表中可以查到。正常情况下，在正电源中用 PMOS，在负电源中使用 NMOS。关于缓启动电路原理我们将在里进行探讨。
通过深入了解 MOSFET 从截止到导通的过程及其相关原理，我们能更好地在实际电路设计中运用这一重要元件，发挥其优势，提升电路性能和稳定性。
